氧化鎵別名三氧化二鎵,氧化鎵（Ga2O3）是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。

在加熱的條件下，Ga2O3能與許多金屬氧化物發生反應。現已測定了堿金屬氧化物反應（高于400℃）所得到的鎵酸鹽M(I)GaO2的晶體結構，與Al2O3和Ln2O3一樣，它與MgO、ZnO、CoO、NiO和CuO反應能形成尖晶石型的M(II)Ga2O4. 與三價金屬氧化物反應的產物M(III)GaO3通常有鈣鈦礦或石榴石型結構（如鑭系鎵酸鹽LnGaO3). 而且有更為復雜的三元氧化物。人民研究過有關用于激光、磷光和發光材料的鎵的混合氧化物。認為鎵酸鹽的發光性質歸之于氧的空缺。因為FeGaO3有令人感興趣的電磁性質（即壓電性和鐵磁性），所以它的合成、穩定性和晶體結構已被人們廣泛地研究。